內(nèi)容簡介:　　《國外電子與通信教材系列：微電子電路設(shè)計（第4版）》涵蓋了微電子電路設(shè)計所需基礎(chǔ)知識，主要由三個部分組成。第一部分介紹固態(tài)電子學(xué)與器件，討論了電子學(xué)的發(fā)展與電路分析方法和微電子器件的工作原理、IV特性及SPICE模型等。第二部分為數(shù)字電路，包括數(shù)字電路的基本概念和CMOS電路、存儲電路、ECL與TTL等雙極型邏輯電路以及BiCMOS電路。第三部分為模擬電路，以理想運算放大器和SPICE仿真為基礎(chǔ)介紹了不同結(jié)構(gòu)運算放大器的相關(guān)特性、小信號模型、具體分析方法和集成設(shè)計技術(shù)，最后討論了放大器的頻率響應(yīng)、反饋和振蕩器等問題。
　　通過學(xué)習(xí)本書可以了解現(xiàn)代微電子電路設(shè)計，包括模擬與數(shù)字，分立與集成，了解內(nèi)部結(jié)構(gòu)也有利于系統(tǒng)設(shè)計中對集成電路的適當(dāng)選擇。

作者簡介:

目錄:第一部分 固態(tài)電子學(xué)與器件
第1章 電子學(xué)簡介
1.1 電子學(xué)發(fā)展簡史：真空管到甚大規(guī)模集成電路
1.2 電學(xué)信號分類
1.3 符號約定
1.4 問題解決方法
1.5 電路理論的重要概念
1.6 電學(xué)信號頻譜
1.7 放大器
1.8 電路設(shè)計中的元器件參數(shù)值變化
1.9 數(shù)值精度
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習(xí)題

第2章 固態(tài)電子學(xué)
2.1 固態(tài)電子材料
2.2 共價鍵模型
2.3 半導(dǎo)體中的漂移電流和遷移率
2.4 本征硅的電阻率
2.5 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)
2.6 摻雜半導(dǎo)體中的電子和空穴濃度
2.7 摻雜半導(dǎo)體的遷移率和電阻率
2.8 擴散電流
2.9 總電流
2.10 能帶模型
2.11 集成電路制造概述
小結(jié)
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習(xí)題

第3章 固態(tài)二極管以及二極管電路
3.1 PN結(jié)二極管
3.2 二極管的iv特性
3.3 二極管方程：二極管的數(shù)學(xué)模型
3.4 反偏、零偏、正偏下的二極管特性
3.5 二極管的溫度系數(shù)
3.6 反偏下的二極管
3.7 PN結(jié)電容
3.8 肖特基勢壘二極管
3.9 二極管的SPICE模型及版圖
3.10 二極管電路分析
3.11 多二極管電路
3.12 二極管處于擊穿區(qū)的工作情況分析
3.13 半波整流電路
3.14 全波整流電路
3.15 全波橋式整流
3.16 整流器比較及設(shè)計折中
3.17 二極管的動態(tài)開關(guān)行為
3.18 光電二極管， 太陽能電池和發(fā)光二極管
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第4章 場效應(yīng)晶體管
4.1 MOS電容特性
4.2 NMOS晶體管
4.3 PMOS晶體管
4.4 MOSFET電路模型
4.5 MOS晶體管的電容
4.6 MOSFET的SPICE模型
4.7 MOS晶體管按比例縮小
4.8 MOS晶體管的制作及版圖設(shè)計規(guī)則
4.9 NMOS場效應(yīng)晶體管的偏置
4.10 PMOS場效應(yīng)晶體管的偏置
4.11 結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）
4.12 JFET的SPICE模型
4.13 JFET和耗盡型MOSFET的偏置
小結(jié)
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第5章 雙極結(jié)型晶體管
5.1 雙極型晶體管的物理結(jié)構(gòu)
5.2 NPN晶體管的傳輸模型
5.3 PNP晶體管
5.4 晶體管模型的等效電路
5.5 雙極型晶體管的iv特性
5.6 雙極型晶體管的工作區(qū)
5.7 簡化傳輸模型
5.8 雙極型晶體管的非線性行為
5.9 跨導(dǎo)
5.10 雙極工藝和SPICE模型
5.11 BJT的實際偏置電路
5.12 偏置電路的容差
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第二部分 數(shù)字電子電路
第6章 數(shù)字電子電路簡介
6.1 理想邏輯門
6.2 邏輯電平定義和噪聲容限
6.3 邏輯門的動態(tài)響應(yīng)
6.4 復(fù)習(xí)布爾代數(shù)
6.5 NMOS邏輯設(shè)計
6.6 晶體管替代負(fù)載電阻方案
6.7 NMOS反相器小結(jié)與比較
6.8 NMOS與非門及或非門
6.9 復(fù)雜NMOS邏輯設(shè)計
6.10 功耗
6.11 MOS邏輯門的動態(tài)特性
6.12 PMOS邏輯
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第7章 CMOS邏輯電路設(shè)計
7.1 CMOS反相器工藝
7.2 CMOS反相器的靜態(tài)特性
7.3 CMOS反相器的動態(tài)特性
7.4 CMOS中的功耗和功耗延遲積
7.5 CMOS或非門和與非門
7.6 CMOS中復(fù)雜門的設(shè)計
7.7 最小尺寸邏輯門的設(shè)計及性能
7.8 動態(tài)多米諾CMOS邏輯
7.9 級聯(lián)緩沖器
7.10 CMOS傳輸門
7.11 CMOS閂鎖
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第8章 MOS存儲器及存儲電路
8.1 隨機存取存儲器
8.2 靜態(tài)存儲器單元
8.3 動態(tài)存儲單元
8.4 敏感放大器
8.5 地址譯碼器
8.6 只讀存儲器（ROM）
8.7 觸發(fā)器
小結(jié)
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第9章 雙極型邏輯電路
9.1 電流開關(guān)（發(fā)射極耦合對）
9.2 發(fā)射極耦合邏輯（ECL）門
9.3 ECL門的噪聲容限分析
9.4 電流源的實現(xiàn)
9.5 ECL或或非門
9.6 射極跟隨器
9.7 “射極點”或“線或”邏輯
9.8 ECL功率-延遲特性
9.9 電流模式邏輯（CML）
9.10 飽和雙極型反相器
9.11 晶體管晶體管邏輯（TTL）邏輯
9.12 標(biāo)準(zhǔn)7400系列TTL反相器
9.13 TTL中的邏輯函數(shù)
9.14 肖特基鉗位TTL
9.15 ECL和TTL的功率延遲對比
9.16 BiCMOS邏輯
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第三部分 模擬電子電路
第10章 模擬系統(tǒng)和理想運算放大器
10.1 一個模擬電子系統(tǒng)實例
10.2 放大作用
10.3 放大器的二端口模型
10.4 失配的源和負(fù)載電阻
10.5 運算放大器簡介
10.6 放大器的失真
10.7 差分放大器模型
10.8 理想差分放大器和運算放大器
10.9 理想集成運算放大器分析
10.10 反饋的頻率特性
小結(jié)
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第11章 非線性運算放大器和反饋放大器的穩(wěn)定性
11.1 經(jīng)典的反饋系統(tǒng)
11.2 對包含非理想運算放大器電路的分析
11.3 串聯(lián)和并聯(lián)反饋電路
11.4 反饋放大器增益計算的統(tǒng)一方法
11.5 電壓串聯(lián)反饋——電壓放大器
11.6 電壓并聯(lián)反饋放大器——跨阻放大器
11.7 跨導(dǎo)放大器——電流串聯(lián)反饋放大器
11.8 電流放大器——電流并聯(lián)反饋放大器
11.9 使用持續(xù)電壓電流注入法計算回路增益
11.10 利用反饋減小失真
11.11 直流誤差源和輸出擺幅限制
11.12 共模抑制比和輸入電阻
11.13 運算放大器的頻率響應(yīng)和帶寬
11.14 反饋放大器的穩(wěn)定性
小結(jié)
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習(xí)題

第12章 運算放大器應(yīng)用
12.1 級聯(lián)放大器
12.2 儀表放大器
12.3 有源濾波器
12.4 開關(guān)電容電路
12.5 數(shù)/模轉(zhuǎn)換
12.6 模/數(shù)轉(zhuǎn)換
12.7 振蕩器
12.8 非線性電路應(yīng)用
12.9 含正反饋的電路
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第13章 小信號建模與線性放大
13.1 晶體管放大器
13.2 耦合電容和旁路電容
13.3 用直流和交流等效電路進行電路分析
13.4 小信號模型簡介
13.5 雙極型晶體管的小信號模型
13.6 共射極放大器
13.7 重要限制及模型簡化
13.8 場效應(yīng)晶體管的小信號模型
13.9 BJT和FET小信號模型的小結(jié)與對比
13.10 共源極放大器
13.11 共射極放大器和共源極放大器小結(jié)
13.12 放大器功率和信號范圍
小結(jié)
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第14章 單晶體管放大器
14.1 放大器類型
14.2 反相放大器——共發(fā)射極和共源極電路
14.3 跟隨器電路——共集電極和共漏極放大器
14.4 同相放大器——共基極和共柵極電路
14.5 放大器原型回顧和比較
14.6 采用MOS反相器的共源極放大器
14.7 耦合和旁路電容設(shè)計
14.8 放大器設(shè)計實例
14.9 多級交流耦合放大器
小結(jié)
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第15章 差分放大器和運算放大器設(shè)計
15.1 差分放大器
15.2 基本運算放大器的進化
15.3 輸出級
15.4 電子電流源
小結(jié)
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第16章 模擬集成電路設(shè)計技術(shù)
16.1 電路元件匹配
16.2 電流鏡
16.3 高輸出電阻電流鏡
16.4 參考電流的產(chǎn)生
16.5 與電源電壓無關(guān)的偏置
16.6 帶隙基準(zhǔn)源
16.7 電流鏡作為有源負(fù)載
16.8 運算放大器中的有源負(fù)載
16.9 μA741運算放大器
16.10 Gilbert模擬乘法器
小結(jié)
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第17章 放大器頻率響應(yīng)
17.1 放大器頻率響應(yīng)
17.2 直接確定低頻極點和零點——共源放大器
17.3 用短路時間常數(shù)法估算ωL的值
17.4 高頻晶體管模型
17.5 混合  模型中的基區(qū)電阻
17.6 共發(fā)射極和共源極放大器的高頻響應(yīng)
17.7 共基極和共柵極放大器的高頻響應(yīng)
17.8 共集電極和共漏極放大器的高頻響應(yīng)
17.9 單級放大器高頻響應(yīng)小結(jié)
17.10 多級放大器的頻率響應(yīng)
17.11 射頻電路介紹
17.12 混頻器和平衡調(diào)制器
小結(jié)
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第18章 晶體管反饋放大器與振蕩器
18.1 基本反饋系統(tǒng)回顧
18.2 中頻帶反饋放大器分析
18.3 反饋放大器電路舉例
18.4 反饋放大器穩(wěn)定性回顧
18.5 單極點運算放大器補償
18.6 高頻振蕩器
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習(xí)題

附錄A 標(biāo)準(zhǔn)分立元件值
附錄B 固態(tài)器件模型及SPICE仿真參數(shù)
附錄C 二端口回顧