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內(nèi)容簡(jiǎn)介:本系列叢書(shū)共分《半導(dǎo)體化合物光電原理》、《半導(dǎo)體化合物光電器件制備》、《半導(dǎo)體化合物光電器件檢測(cè)》三部。從ⅢA～ⅤA族半導(dǎo)體化合物的基本原理、光電器件制備與工藝，以及器件性能檢測(cè)等方面，較系統(tǒng)地介紹了相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)，適合材料，物理化學(xué)，光學(xué)，微電子學(xué)與固體電子學(xué)等專業(yè)的本科和研究生以及工程技術(shù)人員和企業(yè)相關(guān)人員閱讀。

作者簡(jiǎn)介:

目錄:第1章透射電子顯微鏡1
11透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)與成像原理2
111電磁透鏡3
112照明系統(tǒng)5
113成像系統(tǒng)8
114觀察記錄、真空與供電系統(tǒng)10
115主要部件的結(jié)構(gòu)和工作原理11
116目前常用電鏡的生產(chǎn)廠家、型號(hào)及性能13
12TEM樣品制備技術(shù)15
121概述15
122非金屬材料薄膜樣品的制備17
13透射電子顯微鏡電子的成像原理20
131成像操作21
132高分辨電子顯微像25
133電子衍射譜30
134電子衍射花樣的標(biāo)定42
14透射電子顯微鏡在LED方面的應(yīng)用45
141高分辨透射電子顯微像及選區(qū)電子衍射花樣成像46
142界面的失配位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)46
143明場(chǎng)像47
參考文獻(xiàn)48
第2章掃描電子顯微鏡49
21掃描電子顯微鏡50
211電子光學(xué)系統(tǒng)50
212信號(hào)檢測(cè)放大系統(tǒng)51
213顯示系統(tǒng)52
214真空系統(tǒng)52
215電源系統(tǒng)52
22掃描電子顯微鏡成像原理53
221掃描電子顯微鏡中的信號(hào)種類53
222掃描電子顯微鏡的成像原理56
223掃描電子顯微鏡像形成襯度原理57
224掃描電子顯微鏡的主要性能63
23掃描電子顯微鏡的樣品制備66
24掃描電子顯微鏡的性能和特點(diǎn)66
25掃描電子顯微鏡的能譜儀67
26掃描電子顯微鏡在LED中的應(yīng)用67
參考文獻(xiàn)70
第3章原子力顯微鏡71
31原子力顯微鏡的主要構(gòu)件71
32原子力顯微鏡的結(jié)構(gòu)73
321力檢測(cè)部分73
322位置檢測(cè)部分73
323反饋系統(tǒng)73
33原子力顯微鏡的原理及工作模式74
331原子力顯微鏡的原理74
332原子力顯微鏡的工作模式76
34原子力顯微鏡的分辨率79
35原子力顯微鏡的工作環(huán)境80
36激光檢測(cè)原子力顯微鏡81
37原子力顯微鏡的功能81
38原子力顯微鏡樣品的要求82
39原子力顯微鏡在LED方面的應(yīng)用82
參考文獻(xiàn)85
第4章薄膜X射線衍射87
41X射線衍射基本理論87
411發(fā)展和特點(diǎn)87
412X射線的產(chǎn)生88
413X射線譜89
414X射線衍射原理90
415X射線衍射實(shí)驗(yàn)98
416X射線衍射分析基本應(yīng)用105
42薄膜X射線衍射108
421原理109
422應(yīng)用實(shí)例130
43D8DISCOVER型高分辨X射線衍射儀143
431儀器構(gòu)造和原理144
432儀器功能與操作150
參考文獻(xiàn)161
第5章光致發(fā)光和電致發(fā)光162
51光致發(fā)光的理論基礎(chǔ)163
511光致發(fā)光基本概念163
512輻射發(fā)光壽命和效率164
513半導(dǎo)體材料中的輻射復(fù)合166
514光致熒光譜173
52光致發(fā)光測(cè)試系統(tǒng)和樣品180
521系統(tǒng)工作原理和構(gòu)造180
522測(cè)試樣品182
523光譜校正182
53光致熒光譜測(cè)試的應(yīng)用和實(shí)例183
531雜質(zhì)及其濃度的測(cè)量183
532化合物組分的測(cè)量185
533成分均勻性的測(cè)量185
534位錯(cuò)的測(cè)量和表征186
535晶體質(zhì)量的表征187
536納米半導(dǎo)體材料的測(cè)量188
54電致發(fā)光191
541電致發(fā)光的激發(fā)條件191
542光譜的測(cè)量192
55發(fā)光效率及其測(cè)量方法192
551光致發(fā)光材料的發(fā)光效率以及測(cè)量方法192
552電致發(fā)光效率的測(cè)量195
參考文獻(xiàn)197
第6章霍爾效應(yīng)199
61基本理論199
611霍爾效應(yīng)的基本原理199
612范德堡測(cè)試技術(shù)202
62霍爾效應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)203
621霍爾效應(yīng)測(cè)試儀的結(jié)構(gòu)203
622霍爾效應(yīng)儀的靈敏度205
63霍爾效應(yīng)測(cè)試205
631霍爾效應(yīng)測(cè)試的樣品要求205
632霍爾效應(yīng)測(cè)試的測(cè)準(zhǔn)條件207
633霍爾效應(yīng)測(cè)試步驟208
64霍爾效應(yīng)測(cè)試的應(yīng)用和實(shí)例209
641硅的雜質(zhì)補(bǔ)償度測(cè)量209
642ZnO的載流子濃度、遷移率和補(bǔ)償度測(cè)量211
643硅超淺結(jié)中載流子濃度的深度分布測(cè)量212
參考文獻(xiàn)214
第7章LED光電性能測(cè)試215
71LED發(fā)光器件基本參數(shù)215
711LED發(fā)光器件的光度學(xué)參數(shù)215
712LED發(fā)光器件色度學(xué)參數(shù)217
713LED發(fā)光器件的電性參數(shù)221
72LED外延片的測(cè)試223
721光致發(fā)光譜測(cè)試223
722電致發(fā)光譜測(cè)試226
73LED芯片的測(cè)試229
731光學(xué)參數(shù)測(cè)試229
732色度參數(shù)測(cè)量238
733電學(xué)性能測(cè)試242
734測(cè)量結(jié)果及分析248
參考文獻(xiàn)249
第8章太陽(yáng)電池測(cè)試250
81太陽(yáng)模擬器250
811概述250
812太陽(yáng)輻射的基本特性250
82單體太陽(yáng)電池測(cè)試251
821測(cè)試項(xiàng)目252
822電性能測(cè)試的一般規(guī)定252
823測(cè)量?jī)x器與裝置252
824基本測(cè)試方法253
825從非標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件換算到標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件253
826室外陽(yáng)光下測(cè)試253
827太陽(yáng)電池內(nèi)部串聯(lián)電阻的測(cè)量254
828太陽(yáng)電池電流和電壓溫度系數(shù)的測(cè)量254
83非晶硅太陽(yáng)電池電性能測(cè)試須知255
831校準(zhǔn)輻照度255
832光源255
833光譜響應(yīng)255
84太陽(yáng)電流組件測(cè)試和環(huán)境試驗(yàn)方法255
841測(cè)試項(xiàng)目255
842組件電性能參數(shù)測(cè)量中所需的參考組件255
843太陽(yáng)電池組件測(cè)試方法256
85地面用硅太陽(yáng)電池組件環(huán)境試驗(yàn)概況256
851溫度交變257
852高溫貯存257
853低溫貯存257
854恒定濕熱貯存257
855振動(dòng)、沖擊257
856鹽霧試驗(yàn)257
857冰雹試驗(yàn)257
858地面太陽(yáng)光輻照試驗(yàn)257
859扭彎試驗(yàn)258
參考文獻(xiàn)258