現(xiàn)代電子材料與元器件簡介，目錄書摘
2020-01-15 14:27
來源：京東
作者：京東
現(xiàn)代電子材料與元器件
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內容簡介: 《現(xiàn)代電子材料與元器件》較為系統(tǒng)地介紹了主要的電子信息功能材料的結構和組成、電子元器件的工作原理，以及這些器件在電子信息系統(tǒng)中的應用。全書共10章，分別是：緒論；晶體材料的結構；半導體材料與應用；化合物半導體基礎；化合物半導體器件；光電子材料與器件；電介質材料；磁電子學材料與器件；電子陶瓷材料；納米技術與納米電子學。書中主要介紹電子元件常用材料的基礎理論、基本參數(shù)與性能特點，器件的工作原理、基本組成、制作及應用情況。
《現(xiàn)代電子材料與元器件》可作為高等工科院校微電子學、電子科學與技術、電子信息科學與技術、光信息科學與技術專業(yè)的本科生教材，也可作為自動控制類、計算機類、通信類及相關材料類專業(yè)高年級本科生和研究生的教材及教學參考書，還可供從事電子材料與元件的生產(chǎn)、科研及產(chǎn)品研發(fā)的專業(yè)技術人員參考。
《現(xiàn)代電子材料與元器件》可作為高等工科院校微電子學、電子科學與技術、電子信息科學與技術、光信息科學與技術專業(yè)的本科生教材，也可作為自動控制類、計算機類、通信類及相關材料類專業(yè)高年級本科生和研究生的教材及教學參考書，還可供從事電子材料與元件的生產(chǎn)、科研及產(chǎn)品研發(fā)的專業(yè)技術人員參考。
作者簡介:
目錄:叢書序
前言
第1章 緒論
1．1 電子材料的發(fā)展歷史
1．2 電子材料的重要作用
1．3 電子材料與器件的研究現(xiàn)狀
1．3．1 硅基半導體材料
1．3．2 化合物半導體材料
1．3．3 半導體自旋電子學材料和器件
1．3．4 磁性納米材料的應用
1．3．5 有機光電子材料
1．4 電子材料的發(fā)展前景
第2章 晶體材料的結構
2．1 晶體的主要特征
2．1．1 晶體的點陣結構
2．1．2 晶面和密勒指數(shù)
2．1．3 晶體的宏觀對稱性
2．1．4 晶體的微觀對稱性
2．2 典型晶體的結構
2．2．1 密堆積與配位數(shù)
2．2．2 典型單質共價鍵晶體的結構
2．2．3 典型離子化合物晶體結構
2．3 原子間的結合方式
2．3．1 吸引力和排斥力
2．3．2 離子鍵
2．3．3 共價鍵
2．3．4 金屬鍵
2．3．5 范德瓦耳斯力
2．4 晶體中的缺陷
2．4．1 晶體中的微觀缺陷
2．4．2 晶體中的宏觀缺陷
習題
第3章 半導體材料與應用
3．1 半導體材料的物理基礎
3．1．1 本征半導體
3．1．2 半導體中的雜質
3．1．3 費米能級和載流子密度
3．1．4 電導與霍爾效應
3．1．5 非平衡栽流子
3．2 半導體材料的性質
3．2．1 光吸收與光電導
3．2．2 電容效應與擊穿特性
3．2．3 壓阻效應與磁阻效應
3．2．4 電阻率的溫度特性
3．3 半導體材料的分類
3．3．1 元素半導體材料
3．3．2 化合物半導體材料
3．3．3 非晶態(tài)半導體
3．4 半導體材料的制備工藝方法
3．4．1 多晶制備工藝
3．4．2 單晶制備工藝
3．4．3 外延生長技術
3．5 半導體材料的應用
習題
第4章 化合物半導體基礎
4．1 化合物半導體的能帶結構
4．1．1 化合物半導體的周期性結構
4．1．2 半導體的能帶理論
4．1．3 半導體的有效質量
4．1．4 GaAs的能帶結構
4．2 載流子的輸運過程
4．2．1 波爾茲曼輸運方程
4．2．2 散射機制
4．2．3 速度過沖
4．2．4 載流子的彈道輸運過程
4．3 二維電子氣
4．3．1 二維電子氣
4．3．2 二維電子氣的能量狀態(tài)
4．3．3 二維電子氣的光學特性
4．4 半導體異質結
4．4．1 異質結的能帶突變
4．4．2 熱平衡時理想異質結的能帶圖
4．4．3 界面態(tài)對異質結能帶的影響
4．4．4 異質結的伏安特性
4．5 半導體超晶格
4．5．1 半導體超晶格的能帶結構
4．5．2 組分半導體超晶格
4．5．3 摻雜超晶格
4．5．4 應變超晶格
4．5．5 非晶態(tài)超晶格
習題
第5章 化合物半導體器件
5．1 化合物半導體的物理性質
5．1．1 化合物半導體
5．1．2 化合物半導體的晶體結構
5．1．3 晶格常數(shù)
5．1．4 光學性質
5．1．5 電學特性
5．2 金屬半導體場效應晶體管器件
5．2．1 GaAsMESFET的基本結構
5．2．2 GaAsMESFET的直流特性
5．2．3 GaAsMESFET的微波特性
5．3 異質結雙極型晶體管
5．3．1 HBT器件的基本結構
5．3．2 HBT器件的直流特性
5．3．3 HBT器件的高頻特性
5．4 高電子遷移率晶體管
5．4．1 HEMT器件的基本結構
5．4．2 FIEMT器件的直流特性
5．4．3 HEMT器件的射頻特性
5．4．4 當代HEMT技術
5．5 半導體光源
5．5．1 激光二極管（LD）
5．5．2 發(fā)光二極管（LED）
5．5．3 半導體激光器
5．6 半導體光電探測器
5．6．1 光電導探測器的基本特性
5．6．2 p-i-n二極管
5．6．3 APD（雪崩擊穿二極管）
5．6．4 MSM（金屬-半導體-金屬）探測器
習題
第6章 光電子材料與器件
6．1 概述
6．2 光纖
6．2．1 光纖的結構
6．2．2 光纖的種類
6．2．3 光纖的制備
6．2．4 光纖的應用
6．3 激光器及材料
6．3．1 固體激光器的工作原理
6．3．2 固體激光器基質材料
6．3．3 固體激光器的激活離子
6．3．4 幾種常見的固體激光器
6．4 液晶顯示材料與器件
6．4．1 液晶材料的物理性質
6．4．2 液晶的分類及結構特點
6．4．3 常用液晶顯示器件
6．4．4 液晶顯示技術的發(fā)展趨勢
習題
第7章 電介質材料
7．1 概述
7．2 電介質在靜電場中的極化
7．2．1 電介質的極化現(xiàn)象
7．2．2 電介質的極化機制
7．3 電介質的動態(tài)極化
……
第8章 磁電子學材料與器件
第9章 電子陶瓷材料
第10章 納米技術與納米電子學
參考文獻
前言
第1章 緒論
1．1 電子材料的發(fā)展歷史
1．2 電子材料的重要作用
1．3 電子材料與器件的研究現(xiàn)狀
1．3．1 硅基半導體材料
1．3．2 化合物半導體材料
1．3．3 半導體自旋電子學材料和器件
1．3．4 磁性納米材料的應用
1．3．5 有機光電子材料
1．4 電子材料的發(fā)展前景
第2章 晶體材料的結構
2．1 晶體的主要特征
2．1．1 晶體的點陣結構
2．1．2 晶面和密勒指數(shù)
2．1．3 晶體的宏觀對稱性
2．1．4 晶體的微觀對稱性
2．2 典型晶體的結構
2．2．1 密堆積與配位數(shù)
2．2．2 典型單質共價鍵晶體的結構
2．2．3 典型離子化合物晶體結構
2．3 原子間的結合方式
2．3．1 吸引力和排斥力
2．3．2 離子鍵
2．3．3 共價鍵
2．3．4 金屬鍵
2．3．5 范德瓦耳斯力
2．4 晶體中的缺陷
2．4．1 晶體中的微觀缺陷
2．4．2 晶體中的宏觀缺陷
習題
第3章 半導體材料與應用
3．1 半導體材料的物理基礎
3．1．1 本征半導體
3．1．2 半導體中的雜質
3．1．3 費米能級和載流子密度
3．1．4 電導與霍爾效應
3．1．5 非平衡栽流子
3．2 半導體材料的性質
3．2．1 光吸收與光電導
3．2．2 電容效應與擊穿特性
3．2．3 壓阻效應與磁阻效應
3．2．4 電阻率的溫度特性
3．3 半導體材料的分類
3．3．1 元素半導體材料
3．3．2 化合物半導體材料
3．3．3 非晶態(tài)半導體
3．4 半導體材料的制備工藝方法
3．4．1 多晶制備工藝
3．4．2 單晶制備工藝
3．4．3 外延生長技術
3．5 半導體材料的應用
習題
第4章 化合物半導體基礎
4．1 化合物半導體的能帶結構
4．1．1 化合物半導體的周期性結構
4．1．2 半導體的能帶理論
4．1．3 半導體的有效質量
4．1．4 GaAs的能帶結構
4．2 載流子的輸運過程
4．2．1 波爾茲曼輸運方程
4．2．2 散射機制
4．2．3 速度過沖
4．2．4 載流子的彈道輸運過程
4．3 二維電子氣
4．3．1 二維電子氣
4．3．2 二維電子氣的能量狀態(tài)
4．3．3 二維電子氣的光學特性
4．4 半導體異質結
4．4．1 異質結的能帶突變
4．4．2 熱平衡時理想異質結的能帶圖
4．4．3 界面態(tài)對異質結能帶的影響
4．4．4 異質結的伏安特性
4．5 半導體超晶格
4．5．1 半導體超晶格的能帶結構
4．5．2 組分半導體超晶格
4．5．3 摻雜超晶格
4．5．4 應變超晶格
4．5．5 非晶態(tài)超晶格
習題
第5章 化合物半導體器件
5．1 化合物半導體的物理性質
5．1．1 化合物半導體
5．1．2 化合物半導體的晶體結構
5．1．3 晶格常數(shù)
5．1．4 光學性質
5．1．5 電學特性
5．2 金屬半導體場效應晶體管器件
5．2．1 GaAsMESFET的基本結構
5．2．2 GaAsMESFET的直流特性
5．2．3 GaAsMESFET的微波特性
5．3 異質結雙極型晶體管
5．3．1 HBT器件的基本結構
5．3．2 HBT器件的直流特性
5．3．3 HBT器件的高頻特性
5．4 高電子遷移率晶體管
5．4．1 HEMT器件的基本結構
5．4．2 FIEMT器件的直流特性
5．4．3 HEMT器件的射頻特性
5．4．4 當代HEMT技術
5．5 半導體光源
5．5．1 激光二極管（LD）
5．5．2 發(fā)光二極管（LED）
5．5．3 半導體激光器
5．6 半導體光電探測器
5．6．1 光電導探測器的基本特性
5．6．2 p-i-n二極管
5．6．3 APD（雪崩擊穿二極管）
5．6．4 MSM（金屬-半導體-金屬）探測器
習題
第6章 光電子材料與器件
6．1 概述
6．2 光纖
6．2．1 光纖的結構
6．2．2 光纖的種類
6．2．3 光纖的制備
6．2．4 光纖的應用
6．3 激光器及材料
6．3．1 固體激光器的工作原理
6．3．2 固體激光器基質材料
6．3．3 固體激光器的激活離子
6．3．4 幾種常見的固體激光器
6．4 液晶顯示材料與器件
6．4．1 液晶材料的物理性質
6．4．2 液晶的分類及結構特點
6．4．3 常用液晶顯示器件
6．4．4 液晶顯示技術的發(fā)展趨勢
習題
第7章 電介質材料
7．1 概述
7．2 電介質在靜電場中的極化
7．2．1 電介質的極化現(xiàn)象
7．2．2 電介質的極化機制
7．3 電介質的動態(tài)極化
……
第8章 磁電子學材料與器件
第9章 電子陶瓷材料
第10章 納米技術與納米電子學
參考文獻
京公網(wǎng)安備 11000002000088號
