編輯推薦:    《太陽(yáng)能電池新技術(shù)》可作為在太陽(yáng)能應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域工作的技術(shù)人員、研發(fā)人員及管理人員的技術(shù)指導(dǎo)用書，也可作為工科院校相關(guān)專業(yè)師生的參考用書。

內(nèi)容簡(jiǎn)介:    《太陽(yáng)能電池新技術(shù)》作者根據(jù)多年的經(jīng)驗(yàn)，由淺入深地對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行詳細(xì)的解說(shuō)。首先對(duì)太陽(yáng)能光電產(chǎn)業(yè)的歷史演進(jìn)及基本理論做簡(jiǎn)單的介紹，并分別對(duì)多晶硅原料、單晶硅片和多晶硅片等原料的制造技術(shù)進(jìn)行介紹，然后對(duì)所有硅基太陽(yáng)能電池的制造技術(shù)做了說(shuō)明，包括結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池、薄膜型結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池和非晶硅太陽(yáng)能電池等?！短?yáng)能電池新技術(shù)》還對(duì)目前轉(zhuǎn)換效率最高的Ⅲ-Ⅴ族化合物太陽(yáng)能電池、CdTe化合物太陽(yáng)能電池、CIS和CIGS太陽(yáng)能電池、染料敏化太陽(yáng)能電池的制造技術(shù)做了詳細(xì)的介紹。

目錄:1.1 我們所知道的太陽(yáng)
1.2 太陽(yáng)輻射
1.3 利用太陽(yáng)能源的重要性
1.4 太陽(yáng)能發(fā)電的優(yōu)缺點(diǎn)
1.5 什么是太陽(yáng)能電池
1.6 太陽(yáng)能電池的發(fā)展史
1.7 臺(tái)灣地區(qū)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
1.8 太陽(yáng)能電池的經(jīng)濟(jì)效益
2.1 光電物理基礎(chǔ)知識(shí)
2.2 硅的原子結(jié)構(gòu)
2.3 半導(dǎo)體的能帶理論
2.4 P-N接合
2.5 太陽(yáng)能電池的發(fā)電原理
2.6 太陽(yáng)光的光譜照度
2.7 太陽(yáng)能電池的電路模型
2.8 判別太陽(yáng)能電池效率的參數(shù)
2.8.1 最大的功率點(diǎn)
2.8.2 能量轉(zhuǎn)換效率
2.8.3 填充系數(shù)
2.8.4 量子效率
2.9 影響太陽(yáng)能電池效率的因素
2.9.1 造成轉(zhuǎn)換效率損失的原因
2.9.2 提高轉(zhuǎn)換效率的方法
3.1 太陽(yáng)能電池材料的選定標(biāo)準(zhǔn)
3.2 硅原料的特性
3.3 多晶硅原料的制造流程（Siemens方法）
3.3.1 冶金級(jí)多晶硅原料的制造技術(shù)
3.3.2 三氯硅烷的制造與純化
3.3.3 塊狀多晶硅原料的制造技術(shù)（Siemens方法）
3.4 塊狀多晶硅原料的制造技術(shù)（ASiMi方法）
3.4.1 SiH4原料的制造技術(shù)
3.4.2 多晶硅原料的制造技術(shù)
3.5 粒狀多晶原料的制造技術(shù)
3.6 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的制造技術(shù)
3.7 多晶硅原料的市場(chǎng)概況
4.1 概 述
4.2 CZ硅單晶棒的制造技術(shù)
4.2.1 CZ拉晶爐設(shè)備
4.2.2 CZ拉晶流程
4.3 太陽(yáng)能電池等級(jí)CZ單晶硅片的常用規(guī)格
4.4 CZ單晶棒的質(zhì)量與良率控制
4.4.1  單晶良率的提升
4.4.2  電阻率的控制
4.4.3  氧在硅晶棒內(nèi)的形成機(jī)構(gòu)與控制
4.4.4  CZ硅晶棒中碳的形成與控制
4.4.5  CZ硅晶棒中金屬不純物的來(lái)源與控制
4.5 晶圓的加工成型
4.5.1 修 邊
4.5.2 切 片
4.5.3 蝕刻清洗
4.6 單晶硅片的市場(chǎng)概況
5.1 概 述
5.2 鑄造多晶硅錠的技術(shù)
5.2.1 澆鑄法
5.2.2 布里基曼法
5.2.3 電磁鑄造法
5.3 多晶硅片的加工成型
5.4 多晶硅片的質(zhì)量控制
5.4.1 結(jié)晶缺陷
5.4.2 不純物的控制
5.5 薄板多晶硅片的制造技術(shù)
5.5.1 EFG法
5.5.2 WEB法
5.5.3 STR法
5.5.4 RGS法
5.6 硅薄板的質(zhì)量特性
6.1 概 述
6.2 太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)
6.2.1 基 板
6.2.2 表面粗糙結(jié)構(gòu)化
6.2.3 P-N二極管
6.2.4 抗反射層
6.2.5 金屬電極
6.3 太陽(yáng)能電池的制造流程
6.3.1 表面粗糙結(jié)構(gòu)化
6.3.2 磷擴(kuò)散制作工藝
6.3.3 邊緣絕緣處理
6.3.4 抗反射層涂布
6.3.5 正面電極的網(wǎng)印
6.3.6 背面電極的網(wǎng)印
6.3.7 火 烤
6.4 模塊化技術(shù)
6.4.1 太陽(yáng)能電池的串聯(lián)
6.4.2 太陽(yáng)能電池模塊的構(gòu)造與制造過(guò)程
7.1 概 述
7.2 薄膜型結(jié)晶硅的沉積技術(shù)
7.2.1 CVD薄膜型結(jié)晶硅的沉積技術(shù)
7.2.2 LPE薄膜型結(jié)晶硅的沉積技術(shù)
7.3 薄膜晶粒的改善技術(shù)
7.3.1 ZMR再結(jié)晶技術(shù)
7.3.2 金屬誘發(fā)結(jié)晶法
7.3.3 退火處理
7.3.4 激光誘導(dǎo)再結(jié)晶
7.4 薄膜型結(jié)晶硅的種類
7.4.1 單晶硅薄膜生長(zhǎng)在單晶硅基板上
7.4.2 多晶硅薄膜生長(zhǎng)在多晶硅基板上
7.4.3 多晶硅薄膜生長(zhǎng)在其他材質(zhì)的基板上
7.5 薄膜硅太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)上的考慮
7.5.1 光線的留滯
7.6 混合型堆棧的薄膜太陽(yáng)能電池
8.1 概 述
8.2 非晶硅的原子結(jié)構(gòu)與特性
8.3 非晶硅的沉積技術(shù)
8.3.1 PECVD
8.3.2 HWCVD
8.3.3 合金膜的形成
8.4 非晶硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)
8.4.1 基本的P-I-N結(jié)構(gòu)
8.4.2 多接面太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)
8.5 非晶硅太陽(yáng)能電池模塊
8.6 非晶硅薄膜的光劣化現(xiàn)象
9.1 概 述
9.2 III-V族化合物的特性
9.3 III-V族化合物的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)
9.3.1 液相磊晶法
9.3.2  化學(xué)氣相沉積法
9.3.3 有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法
9.3.4 分子束磊晶法
9.4 單一接面太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)
9.5 多接面太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)
9.6 GaInP/GaAs/Ge太陽(yáng)能電池
9.6.1 Ge電池
9.6.2 GaAs電池
9.6.3 GaInP電池
9.6.4 隧道結(jié)
9.7 InP基太陽(yáng)能電池
9.8 量子阱太陽(yáng)能電池
9.9 III-V族太陽(yáng)能電池的應(yīng)用