內容簡介:

本書在介紹半導體照明器件———發(fā)光二極管的材料、機理及其制造技術的同時，詳細講解了器件的光 電參數(shù)測試方法，器件的可靠性分析、驅動和控制方法，以及各種半導體照明的應用技術。本書內容系統(tǒng)、 全面，通過理論聯(lián)系實際，重點突出了 “半導體照明”主題，反映了國內外*新的應用技術。

作者簡介:

方志烈，1938年2月出生于江蘇江陰。1961年畢業(yè)于復旦大學并留校任教，現(xiàn)任該校教授。中國發(fā)光學會理事。上海市通信學會光通信專業(yè)委員會委員。

目錄:第1章光視覺顏色
1.1光
1.1.1光的本質
1.1.2光的產(chǎn)生和傳播
1.1.3人眼的光譜靈敏度
1.1.4光度學及其測量
1.2視覺
1.2.1作為光學系統(tǒng)的人眼
1.2.2視覺的特征與功能
1.3顏色
1.3.1顏色的性質
1.3.2國際照明委員會色度學系統(tǒng)
1.3.3色度學及其測量
第2章光源
2.1自然光源
2.1.1太陽
2.1.2月亮和行星
2.2人工光源
2.2.1人工光源的發(fā)明與發(fā)展
2.2.2白熾燈
2.2.3鹵鎢燈
2.2.4熒光燈
2.2.5低壓鈉燈
2.2.6高壓放電燈
2.2.7無電極放電燈
2.2.8發(fā)光二極管
2.2.9照明的經(jīng)濟核算
第3章半導體發(fā)光材料晶體導論
3.1晶體結構
3.1.1空間點陣
3.1.2晶面與晶向
3.1.3閃鋅礦結構、金剛石結構和纖鋅礦結構
3.1.4缺陷及其對發(fā)光的影響
3.2能帶結構
3.3半導體晶體材料的電學性質
3.3.1費米能級和載流子
3.3.2載流子的漂移和遷移率
3.3.3電阻率和載流子濃度
3.3.4壽命
3.4半導體發(fā)光材料的條件
3.4.1帶隙寬度合適
3.4.2可獲得電導率高的p型和n型晶體
3.4.3可獲得完整性好的優(yōu)質晶體
3.4.4發(fā)光復合概率大
第4章半導體的激發(fā)與發(fā)光
4.1pn結及其特性
4.1.1理想的pn結
4.1.2實際的pn結
4.2注入載流子的復合
4.2.1復合的種類
4.2.2輻射型復合
4.2.3非輻射型復合
4.3輻射與非輻射復合之間的競爭
4.4異質結構和量子阱
4.4.1異質結構
4.4.2量子阱
第5章半導體發(fā)光材料體系
5.1砷化鎵
5.2磷化鎵
5.3磷砷化鎵
5.3.1GaAs0.60P0.40/GaAs
5.3.2晶體中的雜質和缺陷對發(fā)光效率的影響
5.4鎵鋁砷
5.5鋁鎵銦磷
5.6銦鎵氮
第6章半導體照明光源的發(fā)展和特征參量
6.1發(fā)光二極管的發(fā)展
6.2發(fā)光二極管材料生長方法
6.3高亮度發(fā)光二極管芯片結構
6.3.1單量子阱（SQW）結構
6.3.2多量子阱（MQW）結構
6.3.3分布布拉格反射（DBR）結構
6.3.4透明襯底技術（Transparent Substrate，TS）
6.3.5鏡面襯底（Mirror Substrate，MS）
6.3.6透明膠質黏結型
6.3.7表面紋理結構
6.4照明用LED的特征參數(shù)和要求
6.4.1光通量
6.4.2發(fā)光效率
6.4.3顯色指數(shù)
6.4.4色溫
6.4.5壽命
6.4.6穩(wěn)定性
6.4.7熱阻
6.4.8抗靜電性能
第7章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長
7.1磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）
7.2氫化物外延體系的熱力學分析
7.3液相外延原理
7.4磷化鎵的液相外延
7.4.1磷化鎵綠色發(fā)光材料外延生長
7.4.2磷化鎵紅色發(fā)光材料外延生長
7.5鎵鋁砷的液相外延
第8章鋁鎵銦磷發(fā)光二極管
8.1AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論
8.1.1源材料
8.1.2生長條件
8.1.3器件生長
8.2外延材料的規(guī)模生產(chǎn)問題
8.2.1反應器問題:輸送和排空處理
8.2.2均勻性的重要性
8.2.3源的質量問題
8.2.4顏色控制問題
8.2.5生產(chǎn)損耗問題
8.3電流擴展
8.3.1歐姆接觸的改進
8.3.2p型襯底上生長
8.3.3電流擴展窗層
8.3.4氧化銦錫（ITO）
8.4電流阻擋結構
8.5光的取出
8.5.1上窗設計
8.5.2襯底吸收
8.5.3分布布拉格反射LED
8.5.4GaP晶片黏結透明襯底LED
8.5.5膠質黏著（藍寶石晶片黏結）
8.5.6紋理表面結構
8.6芯片制造技術
8.7器件特性
第9章銦鎵氮發(fā)光二極管
9.1GaN生長
9.1.1未摻雜GaN
9.1.2n型GaN
9.1.3p型GaN
9.1.4GaN pn結LED
9.2InGaN生長
9.2.1未摻InGaN
9.2.2摻雜InGaN
9.3InGaN LED
9.3.1InGaN/GaN雙異質結LED
9.3.2InGaN/AlGaN雙異質結LED
9.3.3InGaN單量子阱（SQW）結構LED
9.3.4高亮度綠色和藍色LED
9.3.5InGaN多量子阱（MQW）結構LED
9.3.6紫外LED
9.3.7AlGaN深紫外LED
9.3.8硅襯底GaN藍光LED
9.4提高質量和降低成本的幾個重要技術問題
9.4.1襯底
9.4.2緩沖層
9.4.3激光剝離（LLO）
9.4.4氧化銦錫（ITO）
9.4.5表面紋理結構
9.4.6圖形襯底技術（PSS）
9.4.7微矩陣發(fā)光二極管（MALED）
9.4.8光子晶體（Photonic Crystal，PC）LED
9.4.9金屬垂直光子LED（MVP LED）
第10章LED芯片制造技術
10.1光刻技術
10.2氮化硅生長
10.3擴散
10.4歐姆接觸電極
10.5ITO透明電極
10.6表面粗化
10.7光子晶體
10.8激光剝離（Laser Liftoff，LLO）
10.9倒裝芯片技術
10.10垂直結構芯片技術
10.11芯片的切割
10.12LED芯片結構的發(fā)展
第11章白光發(fā)光二極管
11.1新世紀光源的研制目標
11.2人造白光的最佳化
11.2.1發(fā)光效率和顯色性的折中
11.2.2二基色體系
11.2.3多基色體系
11.3熒光粉轉換白光LED
11.3.1二基色熒光粉轉換白光LED
11.3.2多基色熒光粉轉換白光LED
11.3.3紫外LED激發(fā)多基色熒光粉
11.4多芯片白光LED
11.4.1二基色多芯片白光LED
11.4.2多基色多芯片白光LED
第12章LED封裝技術
12.1LED器件的設計
12.1.1設計原則
12.1.2電學設計
12.1.3熱學設計
12.1.4光學設計
12.1.5視覺因素
12.2LED封裝技術
12.2.1小功率LED封裝
12.2.2SMD LED的封裝
12.2.3芯片級封裝（CSP）
12.2.4大電流LED的封裝
12.2.5功率LED的封裝
12.2.6功率LED組件
12.2.7銦鎵氮類LED的防靜電措施
第13章發(fā)光二極管的測試
13.1發(fā)光器件的效率
13.1.1發(fā)光效率
13.1.2功率效率
13.1.3量子效率
13.2電學參數(shù)
13.2.1伏安特性
13.2.2總電容
13.3光電特性參數(shù)——光電響應特性
13.4光度學參數(shù)
13.4.1法向光強I0的測定
13.4.2發(fā)光強度角分布（半強度角和偏差角）
13.4.3總光通量的測量
13.4.4量值傳遞
13.5色度學參數(shù)
13.5.1光譜分布曲線
13.5.2光電積分法測量色度坐標
13.6熱學參數(shù)（結溫、熱阻）
13.7靜電耐受性
第14章發(fā)光二極管的可靠性
14.1LED可靠性概念
14.1.1可靠性的含義
14.1.2可靠度的定義
14.1.3LED可靠性的相關概念
14.2LED的失效分析
14.2.1芯片的退化
14.2.2環(huán)氧系塑料的壽命分析
14.2.3管芯的壽命分析
14.2.4熒光粉的退化
14.3可靠性試驗
14.3.1小功率LED環(huán)境試驗
14.3.2功率LED環(huán)境試驗
14.4壽命試驗
14.4.1磷化鎵發(fā)光器件的壽命試驗
14.4.2功率LED（白光）長期工作壽命試驗
14.4.3加速壽命試驗
14.5可靠性篩選
14.5.1功率老化
14.5.2高溫老化
14.5.3濕度試驗
14.5.4高低溫循環(huán)
14.5.5其他項目的選用
14.6例行試驗和鑒定驗收試驗
14.6.1例行試驗
14.6.2鑒定驗收試驗
第15章有機發(fā)光二極管
15.1有機發(fā)光二極管材料
15.1.1小分子有機物
15.1.2高分子聚合物
15.1.3鑭系金屬有機化合物
15.2有機發(fā)光二極管的結構和原理
15.3OLED實現(xiàn)白光的途徑
15.3.1波長轉換
15.3.2顏色混合
15.4有機發(fā)光二極管的驅動
15.5有機發(fā)光二極管研發(fā)現(xiàn)狀
第16章半導體照明驅動和控制
16.1LED驅動技術
16.1.1LED的電學性能特點
16.1.2電源驅動方案
16.1.3驅動電路基本方案
16.1.4LED驅動器的特性
16.1.5LED與驅動器的匹配
16.2LED驅動器
16.2.1電容降壓式LED驅動器
16.2.2電感式LED驅動器
16.2.3電荷泵式LED驅動器
16.2.4LED恒流驅動器
16.3LED集成驅動電路
16.3.1電荷泵驅動LED的典型電路
16.3.2開關式DC/DC變換器驅動LED的典型電路
16.3.3限流開關TPS2014/TPS2015
16.3.4六路串聯(lián)白光LED驅動電路MAX8790
16.3.5集成肖特基二極管的恒流白光LED驅動器LT3591
16.3.6低功耗高亮度LED驅動器LM3404
16.3.7具有診斷功能的16通道LED驅動器AS1110
16.3.8高壓線性恒流LED驅動電路
16.4控制技術
16.4.1調光
16.4.2調色
16.4.3調色溫
16.4.4智能照明
第17章半導體照明應用
17.1半導體照明應用產(chǎn)品開發(fā)原則
17.1.1要從LED的優(yōu)點出發(fā)開發(fā)應用產(chǎn)品
17.1.2應用產(chǎn)品市場啟動的判據(jù)——照明成本
17.1.3應用產(chǎn)品的技術關鍵是散熱
17.1.4遵循功率由低到高、技術由易到難的原則
17.1.5造型設計要創(chuàng)新
17.1.6照明燈具通則
17.2LED顯示屏
17.2.1總體發(fā)展規(guī)模
17.2.2產(chǎn)品技術完善
17.2.3新品繼續(xù)拓展
17.3交通信號燈
17.3.1道路交通信號燈
17.3.2鐵路信號燈
17.3.3機場信號燈
17.3.4航標燈
17.3.5路障燈
17.3.6航空障礙燈
17.4景觀照明
17.4.1城市景觀照明的功能作用
17.4.2光源選擇