半導(dǎo)體器件物理學習與考研指導(dǎo)簡介，目錄書摘
2019-10-11 15:51
來源：京東
作者：京東
半導(dǎo)體器件物理學習與考研指導(dǎo)
暫無報價
40+評論
100%好評
編輯推薦:
內(nèi)容簡介:本書是普通高等教育“十一五”***規(guī)劃教材《半導(dǎo)體器件物理(第二版)》(孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著)的配套教學輔導(dǎo)資料。全書共分為11章，內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬-半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移器件、半導(dǎo)體太陽電池和光電二極管、發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器。書末還給出了近幾年吉林大學“微電子學與固體電子學”國家重點學科研究生入學考試試題及參考答案。
作者簡介:
目錄:叢書序
前言
第1章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1.1 知識點歸納
1.載流子的統(tǒng)計分布
2.電荷輸運現(xiàn)象
3.非均勻半導(dǎo)體中的內(nèi)建場
4.準費米能級
5.復(fù)合機制
6.表面復(fù)合和表面復(fù)合速度
7.半導(dǎo)體中的基本控制方程
1.2 習題解答
第2章 PN結(jié)
2.1 知識點歸納
1.熱平衡PN結(jié)
2.偏壓的PN結(jié)
3.理想PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性
4.空間電荷區(qū)復(fù)合電流和產(chǎn)生電流
5.隧道電流
6.溫度對PN結(jié)I-V特性的影響
7.耗盡層電容、求雜質(zhì)分布和變?nèi)荻O管
8.PN結(jié)二極管的頻率特性
9.PN結(jié)二極管的開關(guān)特性
10.PN結(jié)擊穿
2.2 基本概念與問題
2.3 理論推導(dǎo)與命題證明
2.4 圖表解析與應(yīng)用
2.5 習題解答
第3章 雙極結(jié)型晶體管
3.1 知識點歸納
1.基本工作原理(以NPN型為例)
2.理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸
3.埃伯斯一莫爾(Ebers-Moll)方程
4.緩變基區(qū)晶體管(Gummel-Poon模型)
5.基區(qū)擴展電阻和電流集聚效應(yīng)
6.基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
7.晶體管的頻率響應(yīng)
8.混接兀模型等效電路
9.晶體管的開關(guān)特性
10.反向電流和擊穿電壓
3.2 基本概念與問題
3.3 理論推導(dǎo)與命題證明
3.4 圖表解析與應(yīng)用
3.5 習題解答
第4章 金屬－半導(dǎo)體結(jié)
4.1 知識點歸納
1.肖特基勢壘
2.界面態(tài)對勢壘高度的影響
3.鏡像力對勢壘高度的影響
4.肖特基勢壘二極管的電流電壓特性
5.金屬－絕緣體－半導(dǎo)體肖特基二極管
6.肖特基勢壘二極管和PN結(jié)二極管之間的比較
7.歐姆接觸——非整流的M-S結(jié)
4.2 基本概念與問題
4.3 理論推導(dǎo)與命題證明
4.4 圖表解析與應(yīng)用
4.5 習題解答
第5章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
5.1 知識點歸納
1.理想JFET的I-V特性
2.靜態(tài)特性
3.小信號參數(shù)和等效電路
4.JFET的最高工作頻率
5.溝道長度調(diào)制效應(yīng)
6.金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
7.JFET和MESFET的類型
5.2 基本概念與問題
5.3 理論推導(dǎo)與命題證明
5.4 圖表解析與應(yīng)用
5.5 習題解答
第6章 金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
6.1 知識點歸納
1.理想MOS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷區(qū)
2.理想MOS電容器
3.溝道電導(dǎo)與閾值電壓
4.實際MOS的電容－電壓特性和閾值電壓
5.MOS場效應(yīng)晶體管的I-V特性
6.等效電路和頻率響應(yīng)
7.MOS場效應(yīng)晶體管的類型
8.亞閾值區(qū)
9.影響閾值電壓的其余因素
10.器件的小型化
6.2 基本概念與問題
6.3 理論推導(dǎo)與命題證明
6.4 圖表解析與應(yīng)用
6.5 習題解答
第7章 電荷轉(zhuǎn)移器件
7.1 知識點歸納
1.深耗盡狀態(tài)和表面勢阱
2.MOS電容的瞬態(tài)特性
3.信息電荷的輸運、傳輸效率
4.埋溝CCD(BCCD)
5.信息電荷的注入和檢測
6.集成斗鏈器件
7.電荷耦合圖像器
7.2 基本概念與問題
7.3 理論推導(dǎo)與命題證明
7.4 圖表解析與應(yīng)用
7.5 習題解答
第8章 半導(dǎo)體太陽電池和光電二極管
8.1 知識點歸納
1.PN結(jié)的光生伏打效應(yīng)
2.太陽電池的I-V特性
3.太陽電池的效率
4.光產(chǎn)生電流與收集效率
5.提高太陽電池效率的措施
6.肖特基勢壘和MIS太陽電池
7.光電二極管
8.PIN光電二極管
9.光電二極管的特性參數(shù)
8.2 基本概念與問題
8.3 理論推導(dǎo)與命題證明
8.4 圖表解析與應(yīng)用
8.5 習題解答
第9章 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
9.1 知識點歸納
1.輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合
2.LED的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
3.LED的特性參數(shù)
4.幾類重要的LED
9.2 基本概念與問題
9.3 理論推導(dǎo)與命題證明
9.4 圖表解析與應(yīng)用
9.5 習題解答
第10章 吉林大學碩士研究生入學考試“半導(dǎo)體器件物理”試題
2006年試題
2007年試題
2008年試題
2009年試題
第11章 吉林大學碩士研究生入學考試“半導(dǎo)體器件物理”試題參考答案
2006年試題參考答案
2007年試題參考答案
2008年試題參考答案
2009年試題參考答案
前言
第1章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1.1 知識點歸納
1.載流子的統(tǒng)計分布
2.電荷輸運現(xiàn)象
3.非均勻半導(dǎo)體中的內(nèi)建場
4.準費米能級
5.復(fù)合機制
6.表面復(fù)合和表面復(fù)合速度
7.半導(dǎo)體中的基本控制方程
1.2 習題解答
第2章 PN結(jié)
2.1 知識點歸納
1.熱平衡PN結(jié)
2.偏壓的PN結(jié)
3.理想PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性
4.空間電荷區(qū)復(fù)合電流和產(chǎn)生電流
5.隧道電流
6.溫度對PN結(jié)I-V特性的影響
7.耗盡層電容、求雜質(zhì)分布和變?nèi)荻O管
8.PN結(jié)二極管的頻率特性
9.PN結(jié)二極管的開關(guān)特性
10.PN結(jié)擊穿
2.2 基本概念與問題
2.3 理論推導(dǎo)與命題證明
2.4 圖表解析與應(yīng)用
2.5 習題解答
第3章 雙極結(jié)型晶體管
3.1 知識點歸納
1.基本工作原理(以NPN型為例)
2.理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸
3.埃伯斯一莫爾(Ebers-Moll)方程
4.緩變基區(qū)晶體管(Gummel-Poon模型)
5.基區(qū)擴展電阻和電流集聚效應(yīng)
6.基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
7.晶體管的頻率響應(yīng)
8.混接兀模型等效電路
9.晶體管的開關(guān)特性
10.反向電流和擊穿電壓
3.2 基本概念與問題
3.3 理論推導(dǎo)與命題證明
3.4 圖表解析與應(yīng)用
3.5 習題解答
第4章 金屬－半導(dǎo)體結(jié)
4.1 知識點歸納
1.肖特基勢壘
2.界面態(tài)對勢壘高度的影響
3.鏡像力對勢壘高度的影響
4.肖特基勢壘二極管的電流電壓特性
5.金屬－絕緣體－半導(dǎo)體肖特基二極管
6.肖特基勢壘二極管和PN結(jié)二極管之間的比較
7.歐姆接觸——非整流的M-S結(jié)
4.2 基本概念與問題
4.3 理論推導(dǎo)與命題證明
4.4 圖表解析與應(yīng)用
4.5 習題解答
第5章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
5.1 知識點歸納
1.理想JFET的I-V特性
2.靜態(tài)特性
3.小信號參數(shù)和等效電路
4.JFET的最高工作頻率
5.溝道長度調(diào)制效應(yīng)
6.金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
7.JFET和MESFET的類型
5.2 基本概念與問題
5.3 理論推導(dǎo)與命題證明
5.4 圖表解析與應(yīng)用
5.5 習題解答
第6章 金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
6.1 知識點歸納
1.理想MOS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷區(qū)
2.理想MOS電容器
3.溝道電導(dǎo)與閾值電壓
4.實際MOS的電容－電壓特性和閾值電壓
5.MOS場效應(yīng)晶體管的I-V特性
6.等效電路和頻率響應(yīng)
7.MOS場效應(yīng)晶體管的類型
8.亞閾值區(qū)
9.影響閾值電壓的其余因素
10.器件的小型化
6.2 基本概念與問題
6.3 理論推導(dǎo)與命題證明
6.4 圖表解析與應(yīng)用
6.5 習題解答
第7章 電荷轉(zhuǎn)移器件
7.1 知識點歸納
1.深耗盡狀態(tài)和表面勢阱
2.MOS電容的瞬態(tài)特性
3.信息電荷的輸運、傳輸效率
4.埋溝CCD(BCCD)
5.信息電荷的注入和檢測
6.集成斗鏈器件
7.電荷耦合圖像器
7.2 基本概念與問題
7.3 理論推導(dǎo)與命題證明
7.4 圖表解析與應(yīng)用
7.5 習題解答
第8章 半導(dǎo)體太陽電池和光電二極管
8.1 知識點歸納
1.PN結(jié)的光生伏打效應(yīng)
2.太陽電池的I-V特性
3.太陽電池的效率
4.光產(chǎn)生電流與收集效率
5.提高太陽電池效率的措施
6.肖特基勢壘和MIS太陽電池
7.光電二極管
8.PIN光電二極管
9.光電二極管的特性參數(shù)
8.2 基本概念與問題
8.3 理論推導(dǎo)與命題證明
8.4 圖表解析與應(yīng)用
8.5 習題解答
第9章 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
9.1 知識點歸納
1.輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合
2.LED的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
3.LED的特性參數(shù)
4.幾類重要的LED
9.2 基本概念與問題
9.3 理論推導(dǎo)與命題證明
9.4 圖表解析與應(yīng)用
9.5 習題解答
第10章 吉林大學碩士研究生入學考試“半導(dǎo)體器件物理”試題
2006年試題
2007年試題
2008年試題
2009年試題
第11章 吉林大學碩士研究生入學考試“半導(dǎo)體器件物理”試題參考答案
2006年試題參考答案
2007年試題參考答案
2008年試題參考答案
2009年試題參考答案
京公網(wǎng)安備 11000002000088號
